為什么唱衰中國光刻機制造？

做任何事情不能盲目自大，但也不能妄自菲薄。

一直以來我相信絕大多數人都沒有唱衰中國光刻機制造，只是大多數人覺得我國光刻機跟世界頂尖水平有很大的差距而已，畢竟這是一個事實。

實際上一直以來我國都有自己的光刻機，我國光刻機研究始于上世紀60年代，直到80年代初的時候，我國光刻機仍然處于世界比較先進的水平，當時跟美國最頂尖的光刻機水平只差幾年時間。

只是后來改革開放之后，我國可以直接進口外國的一些光刻機，而且進口的這些光刻機技術更先進，成本又更低，所以沒有企業愿意投入更多的資金去研發國內的光刻機。

結果導致我國光刻機的技術跟日本，美國以及荷蘭的技術差距越來越大，特別是荷蘭ASML成功研發出EUV光刻機之后，我國跟他們的差距更是越拉越大。

直到本世紀初，我國又重新開始重視起光刻機的研究起來，所以目前我國光刻機是可以獨立自主生產的，只是我們生產出來的光刻機精度沒有那么大。

目前我國真正實現量產的最高制程光刻機是90納米，雖然28納米光刻機已經研發成功，但預計要等到2021年底才能夠正式量產。

而目前全球最頂尖的光刻機制造商ASML已經擁有成熟的7納米EUV光刻機，同時他們也正在研發5納米以及3納米的光刻機。

所以目前我國的光刻機技術跟全球最頂尖的水平至少差三代以上。

不過最近幾年我國在光刻機研究方面已經取得了不少積極的成果，比如清華大學研究出了光刻機雙工作臺，這使得我國成為全球第二個具備開發雙工作臺光刻機的國家。

再比如2018年11月，由中國科學院光電技術研究所所承擔的國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收，該裝備采用365nm波長的紫外光單次成像，實現了22納米的分辨率，結合雙重曝光技術后，未來還有可能用于制造10nm級別的芯片，這為我國芯片加工提供了全新的解決途徑。

2019年4月，武漢光電國家技術研究中心甘棕松團隊采用二束激光在自主研發的光刻膠上突破了光束衍射極限，采用遠場光學的辦法，成功刻出9nm線寬的線段，實現了從超分辨成像到超衍射極限光刻制造的重大創新，這個技術突破讓我國打破了三維納米制造的國外技術壟斷，在這個全新的技術領域內，我國從材料、軟件到光機電零部件都不再受制于人。

再比如前段時間中科院蘇州納米所在5納米激光光刻技術上也取得了新的突破。

這些成就的取得都表明目前我國在光刻機技術研究方面正在不斷突破，跟國際頂尖的水平正在逐步縮小。

雖然目前我國光刻機跟全球頂尖水平仍然有很大的差距，但我相信在我國科研人員的努力之下，終有一天我們會實現光刻機技術的全新突破的。

正如以前西方國家也曾經對我國進行大量的技術封鎖，比如導彈、衛星，航母等方面，西方國家都對我國進行技術封鎖，但在西方對我國采取封鎖的350項技術當中，目前絕大部分技術已經被我國突破，而且這些突破都是我國完全獨立自主研發出來的。

所以我們要相信我國的科研人員，過去幾十年我國經濟快速發展，大多數人更關注的是產能而忽略了核心技術。但最近幾年隨著我國產業結構的調整升級，技術研發已經越來越受到全社會的關注，當全社會集中精力去做一件事情的時候，我相信再難的事情，我們遲早都會取得突破的。