SUPERNOVA?
EVGA的G1系列電源早在2013年已經推出市場,隨后我們還看見了G2以及G3系列電源,不過這并不意味著G1系列會被后來者取代,因為在今年EVGA就對G1系列進行的更新,推出了G1+也就是G+系列電源。與G1系列相比,G+系列電源不僅架構上作出了調整,從多路+12V輸出改為單路+12V輸出,而且長度有所縮短,整體更為緊湊,運行更加安靜的同時性能也有了進一步的改善。目前EVGA G+系列電源已經有多款型號的產品在售,其中起始型號為SUPERNOVA 650 G+,也就是我們今天要看的產品。
EVGA SUPERNOVA650 G+電源
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的外觀設計與其它同門產品如出一轍, 是一款長度為425px的ATX結構電源,相比G1系列同瓦數的產品要縮短了25px,磨砂質感的外殼加上全模組線材設計,配置350px直徑散熱風扇,額定功率為650W,通過了80Plus金牌認證。目前電源售價為749元,享受10年質保服務。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源
磨砂質感的外殼
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源支持100V至240V交流輸入,采用單路+12V設計,輸出電流最高可達54A;+5V和+3.3V為DC to DC設計,輸出電流均為最高24A,聯合輸出功率為120W;+5V待機輸出則為最高為3.0A。
電源采用全模組接口設計
電源采用全模組線材設計,所有線材均采用編織網包線設計,提供有1個24pin主供電、2個4+4pin CPU供電、4個6+2pin PCI-E供電、3個SATA供電以及2個D型4pin供電接口 ,另有一條單D型4pin轉雙小4pin的轉接線,能在這個瓦數的電源上提供兩個CPU供電接口值得給好評。所有線材的長度都超過1500px,其中顯卡與CPU供電線材的長度均在1625px以上。
電源輸入接口配置有獨立開關
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源配置有350px靜音型散熱風扇
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源包裝
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源拆解賞析
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源使用的風扇是永立電機的MGA13512XF-O25型風扇,FDB流體動態軸承,規格為DC 12V/0.38A,7扇葉設計,采用調整輸入電壓的方式實現轉速控制。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源有全漢代工,目前比較少見的有源箝位正激拓撲(Active Clamp Reset Forward,即ACRF)架構,一次側采用主動 式PFC,+12V輸出為同步整流,+5V與+3.3V則是DC to DC結構,模組接口PCB則采用飛線式設計,即其與主PCB之間是通過線材連接的。
電源PCB背面的焊接工藝比較優秀,焊點整齊且飽滿均勻,看上去還是很舒服的。+5V與+3.3V輸出的開關管也布置在主PCB的底部,不過沒有使用導熱貼與外殼貼合。
AC插座上有一對Y電容
電源的AC插座上有一對Y電容,其余EMI電路則配置在主PCB上,依序是一個X電容、一個共模電感、一個X電容和一對Y電容、一個共模電感和一個差模電感,保險管 位于AC輸出端的旁邊,NTC則在PFC電感與整流橋之間,但沒有配置繼電器,也沒有看到MOV。整流橋采用獨立的散熱片,然而由于其他元件的阻擋我們并不能看到它的具體型號。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的主電容為日化KMR系列,規格為390μF/450V/105℃,對于額定功率為650W的電源來說容量只能算夠用但說不上充足。
電源采用主動式PFC
電源的PFC開關管、有源箝位正激主管、有源箝位正激輔管以及+5V待機輸出開關管共用一個散熱片,其中PFC開關管為2個IPA60R125P6,規格為650V/19A@100℃/125mΩ;有源箝位正激主管是一個STF25N80K5,規格為800V/12.3A@100℃/260mΩ;有源箝位正激輔管是一個CEF03N8,規格為800V/2A@100℃/4.8Ω;+5V待機開關管位于散熱片的另一面,型號為CEF02N7G,規格為700V/1.3A@100℃/6.75Ω。
PFC二極管為STTH8R06FP,規格為600V/8A@100℃,采用獨立散熱片
+5V待機的開關管位于一次側散熱片的另一面
FSP6600是全漢自行研發的PFC+PWM級主控
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源采用定制的主變壓器,頂部有EVGA的標志,待機變壓器則位于隔壁,配有一個規格為60V/20A的STPS20L60CT整流管。+12V輸出采用同步整流設計, 配置有2枚公用鋁制散熱片的開關管,但由于元件阻擋看不到具體型號。
+5V與+3.3V的控制IC采用獨立PCB
開關管則位于主PCB的底面
電源+5V與+3.3V采用的是DC to DC設計,主控布置在獨立的子PCB上,均使用全漢自行研發的FSP6601芯片,每路輸出配置有兩枚MosFET,均為IR的LR4132,規格是30V/100A@100℃。
輸出濾波電路采用的均為日系電容
電源的模組接口布置在獨立的子PCB上,配置有固態電容進行濾波
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源測試
均衡負載測試數據匯總
轉換效率:
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源通過了80Plus金牌認證,在我們的測試環境下,其115V輸入電壓下的低載轉換效率甚至比230V輸入電壓下 的更高,后者直至輸出功率超過200W后才實現反超。在230V輸入電壓下,電源的轉換效率最高達到92.7%的水平,整體平均效率 接近91%,表現與80Plus金牌認證電源相符。
待機效率
按Intel ATX12V 2.31規范中的推薦值,5Vsb在100mA/250mA/1A的負載下轉換效率應該高于50%、60%、70%,待機空載輸入小于1W。
5Vsb功耗及效率
5Vsb實際輸出電壓
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的待機輸出效率以及電壓都非常優秀,空載輸入0.25W也是很不錯的表現,基本上沒有什么可以挑剔的地方。
散熱風扇轉速:
在風扇轉速與噪音控制方面,EVGA SUPERNOVA 650 G+電源支持智能溫控,雖然沒有提供低負載風扇停轉的功能,但是運行噪音依然控制 得很好。從我們的測試可以看出,當電源輸出功率小于等于500W的時候,其散熱風扇是處于低轉速狀態,轉速不超過800RPM,而后風扇轉速會隨著輸出功率的提升而逐步增加 ,滿載轉速在1200RPM左右,噪音依然很低。
電壓穩定性:
+12V電壓曲線
+5V電壓曲線
+3.3V電壓曲線
在EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的輸出電壓穩定性表現值得稱贊的,+12V/+3.3V輸出的電壓偏離度與調整率都可以控制在±1%以內,+5V的電壓偏離度則可以控制在2%以內,但調整率表現依然優秀,因此在這方面EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的表現可以算是頂級產品的水平。
紋波測試:
紋波和噪聲是電源直流輸出里夾雜的交流成分,如果用示波器觀察,就會看到電壓上下輕微波動,像水波紋一樣,所以稱之為紋波。按照Intel ATX12V 2.3.1規定,+12V、+5V、+3.3V的輸出紋波與噪聲的Vp-p(峰-峰值)分別不得超過120mV、50mV、50mV。過高的紋波會干擾數字電路,影響電路工作的穩定性。
我們使用數字示波器在20MHz模擬帶寬下按照Intel規范給治具板測量點處并接去耦電容,對電源進行滿載紋波的測量。示波器截圖分為低頻下和電源開關頻率下的波形,低頻下的紋波峰峰值作為打分基準,開關頻率下的紋波波形及測量值作為參考。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源在滿載時的+12V、+5V、+3.3V低頻紋波為34mV、24mV和23mV,三組主要輸出的紋波控制 全部達標,其中+12V的表現屬于優秀水平,而+5V與+3.3V的成績則屬于中等偏上,以這個級別的電源來說仍然有可以優化的空間。
交叉負載測試:
交叉負載測試項目我們按照Intel ATX12V 2.3和SSI EPS12V 2.92電源設計指導的要求, 選擇其中比較有實際意義的4個測試點,并制定出制定出850W電源交叉負載圖表。
這四個點的意義分別為:
左下角(A點):整機最小負載; 左上角(B點):輔路最大負載、12V最小負載,例如多個機械硬盤同時啟動的情況; 右上角(C點):輔路最大負載、整機滿載; 右下角(D點):12V最大負載、輔路最小負載,例如使用單個固態硬盤運行3D游戲的情況;
測試點的X坐標表示總的+12V的輸出功率,Y坐標表示+5V和+3.3V的輸出功率之和,交叉負載的測試與前面的均勻負載測試的評判標準一致。
650W交叉負載加載圖表
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源在+5V和+3.3V輸出上使用了DC to DC設計,因此其在交叉負載(拉偏測試)中的表現全部達標,其中+12V與+3.3V的電壓偏離度全程可以控制在±1%之內,+5電壓 的電壓偏離度則可以控制在-2%以內,是比較優秀的成績。
保持時間測試:
掉電保持時間(Hold-up Time)是指電源掉電之后電壓輸出值跌出范圍允許的5%的時間,我們測量的是+12V、+5V和Power-OK(Power-Good)信號的保持時間。
SSI EPS12V 2.92服務器電源設計指導中對輸出電壓保持時間的要求是電源在75%的負載下保持時間應該大于18ms,而Power-OK信號的保持時間要求是大于17ms。
掉電保持時間如此受關注,是因為其很大程度上關系到硬件的壽命,Power-OK保持17ms意味著面臨17ms以內的掉電情況時電腦能持續運行而不出現關機、重啟的狀況,而各路電壓保持18ms或者更長的時間,是為了在掉電發生時各個硬件能夠做出應急處理,比如機械硬盤的磁頭歸位 、SSD的掉電保護。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的保持時間是在75%負載(DC輸出487.5W)的情況下測得。
對于+12V和+5V,合格的標準是保持時間等于或者大于18ms,Power-OK(或者稱PG,Power-Good)時間應該等于或者大于17ms。 EVGA SUPERNOVA 650 G+電源的+12V為24.4ms,+5V為27.2ms,Power-OK為22.4ms,三路主要輸出的保持時間全部達標 且有一定的余量。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源得分及點評
EVGA SUPERNOVA 650 G+超能指數
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源在測試中得到的超能指數為89.29分,按照我們目前的評分標準, 這個成績屬于優秀電源,而且距離頂級電源的水平僅有一線之差,以人民幣749元的價格以及10年的質保服務來看是一個適合中高端玩家入手的好選擇。
EVGA SUPERNOVA 650 G+電源在各個測試項目都有很不錯的表現,特別是在電壓穩定性的相關項目中都展現出了很不錯的性能,轉換效率也確實達到了80Plus金牌認證的水平,紋波雖然稱不上是出眾,但也有中等以上水平的表現,其中+12V的輸出紋波還是很優秀的,保持時間的余量也算充足,可以說是一個整體表現優秀且均衡的電源產品,此外在這個瓦數的電源上依然提供有兩個CPU供電接口也是可以給好評的。
√ 優點:
- 全模組設計- 80Plus金牌級別效率- 電壓穩定性表現優秀- +12V紋波抑制表現優秀- 噪音控制優秀- 提供兩個CPU 4+4pin接口
× 缺點:
- +5V與+3.3V輸出紋波仍有優化空間
想了解更多有關科技、數碼、游戲、硬件等專業問答知識,歡迎右上角點擊關注我們【超能網】頭條號。