動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器有什么區(qū)別？

SRAM的特點(diǎn)是工作速度快，只要電源不撤除，寫入SRAM的信息就不會(huì)消失，不需要刷新電路，同時(shí)在讀出時(shí)不破壞原來(lái)存放的信息，一經(jīng)寫入可多次讀出，但集成度較低，功耗較大。

SRAM一般用來(lái)作為計(jì)算機(jī)中的高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)。

DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用場(chǎng)效應(yīng)管的柵極對(duì)其襯底間的分布電容來(lái)保存信息，以存儲(chǔ)電荷的多少，即電容端電壓的高低來(lái)表示“1”和“0”。

DRAM每個(gè)存儲(chǔ)單元所需的場(chǎng)效應(yīng)管較少，常見(jiàn)的有4管，3管和單管型DRAM。

因此它的集成度較高，功耗也較低，但缺點(diǎn)是保存在DRAM中的信息__場(chǎng)效應(yīng)管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會(huì)逐漸消失，一般信息保存時(shí)間為2ms左右。

為了保存DRAM中的信息，必須每隔1～2ms對(duì)其刷新一次。

因此，采用 DRAM的計(jì)算機(jī)必須配置動(dòng)態(tài)刷新電路，防止信息丟失。

DRAM一般用作計(jì)算機(jī)中的主存儲(chǔ)器。