rram的區別和聯系？

RAM，Random-Access Memory，即隨機存取存儲器，其實就是內存，斷電會丟失數據。

主要分為SRAM（static）和DRAM（dynamic)。主要的區別在于存儲單元，DRAM使用電容電荷進行存儲。需要一直刷新充電。SRAM是用鎖存器鎖住信息，不需要刷新。但也需要充電保持。

關于DRAM，其基本的存儲單元如下，利用一個晶體管進行控制電容的充放電。?

DRAM一般的尋址模式，控制的晶體管集成在單個存儲單元中。

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現在的DRAM一般都是SDRAM，即Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步且能自由指定地址進行數據讀寫。其結構一般由許多個bank組成并利用以達到自由尋址。

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而RRAM，指的是Resistive Random Access Memory，這是最近才新研究的技術，并不成熟。利用Memositor（一種記憶電阻，其阻值會根據流過的電流而變化）作為存儲單元，優點十分明顯，并且和DRAM比起來在array中可以減少控制晶體管的數量，在CMOS chip上已經有所應用。

舉crossbar為例，我在一篇文章上看到的芯片

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其基本的尋址模式是在crossbar外進行控制，DATA A為讀取的數據而DATA B是不讀取的數據。對相應的地址加以兩種不同的電壓完成存取。