中國的軍用芯片和光刻機處于世界什么水平？

我國軍用芯片世界一流，光刻機技術世界三流。由于軍用芯片只是對可靠性，耐高溫性能，耐低溫性能要求較高，而對工藝制程要求不像手機芯片那么高。所以說，以我國現有的技術制造出來的芯片，還是挺先進的，與國外沒有差距。

我國軍用芯片主要有“龍芯，華睿，魂芯”等型號，這些型號是可以實現自給自足的。除了CPU之類的芯片之外，還有一種現在軍用電子設備離不開的芯片FPGA（現場可編程門陣列），這種芯片國產的性能與國際先進水平相差較大。而國產的FPGA在國內市場中的份額近占2%，還有98%左右的份額依賴進口。

先來看軍用CPU。目前來說，在軍用CPU上，國產品牌已經可以替代進口的了。像北斗衛星上使用龍芯處理器，雷達等電子設備使用魂芯2號DSP，華睿2號DSP。其中魂芯2號DSP的運算性能是德州儀器TMS320C6678的3倍，是國際市場上同類DSP的4倍，是魂芯1號的6倍，獲得多項國家發明專利。

再來看FPGA類芯片。目前來看，高端FPGA芯片主要被美國的賽靈思公司和阿爾特拉公司所壟斷，這兩個公司制造的FPGA的工藝制程已經達到16納米和14納米的了，擁有9000多項專利，基本上后續者是無法繞開這些專利的，所以才導致很多公司打不開這個市場定位大門。而國內制造FPGA的公司主要有京微雅格，國微電子，智多晶，同創國芯等公司，只不過這些公司的產品工藝制程還徘徊在40納米，55納米，與賽靈思和阿爾特拉的產品性能有不小的差距。

再來看國產光刻機。國產光刻機基本上是三流水平，一流ASML，二流尼康和，三流就是我國和佳能了。ASML擁有最先進的EUV光刻機，最小工藝制程節點可以達到3納米（NXE:3600D）；尼康擁有制造DUV光刻機的實力（NSR-S635E）；佳能和我國的光刻機主要就是低端產品。

國產光刻機最小工藝制程節點就是90納米基本上可以滿足軍用芯片的制造。早期F22戰斗機的芯片是i906mx，工藝制程為0.15微米，集成了1000萬個晶體管，主頻僅為66Mhz，后期換成了powerpc603。F35戰斗機采用的是PowerpcG4芯片，其主頻達到1.67Ghz。可以說，使用國產光刻機可喲保證軍用芯片不被卡脖子，但是遠遠達不到商業化的標準。

因為如今手機使用的芯片工藝制程已經低到5納米了，90納米的話相差太遠了。不過國產DUV光刻機也將在2021年交付，屆時國產光刻機將達到世界二流水平，與尼康公司位于同一水平線上。國產EUV光刻機主要被卡在大功率光源，物鏡組，雙工件臺，光刻膠等方面。不過目前正在對這一系列技術進行攻關，相信國產EUV光刻機會到來的。

由此可知，國產軍用芯片的性能達到世界一流水準，但是FPGA類的芯片性能還不夠強。國產光刻機也快要追上尼康的水平了。