什么是動態存儲器的刷新？

動態RAM共有三種刷新方式：集中刷新，分散刷新，異步刷新刷新的實質：先將原信息讀出，再由刷新放大器形成原信息重新寫入的再生成的過程

為什么要進行刷新：存儲單元被訪問是隨機的，有些存儲單元可能長時間的不被訪問，不進行存儲器的讀寫操作，其存儲單元內的原信息就可能會丟失。

刷新是一行行進行的，必須在刷新周期內完成。

刷新周期：對DRAM的所有存儲單元恢復一次原狀態的時間間隔

刷新間隔：兩次刷新的起始時間差（某行從第一次刷新到第二次刷新的等待時間）

行刷新間隔：兩行刷新的起始時間差

刷新時間：規定的一個周期內刷新的總時間

刷新一行的時間是等于存取周期的。因為刷新的過程與一次存取相同，只是沒有在總線上輸入輸出。

集中刷新

集中刷新：在規定的一個刷新周期內，對全部存儲單元集中一段時間逐行進行刷新（用專門的時間進行全部刷新）例對128×128的矩陣的存儲芯片進行刷新，存儲周期為0.5μs，刷新周期為2ms

2ms的刷新周期，占得存取周期個數為：

2000μs÷0.5μs=4000（個）

共有128行要進行刷新，則刷新占128個存取周期，則刷新的時間為：

128×0.5μs=64μs

讀寫或維持的時間：

2000μs-64μs=1936μs

讀/寫或維持的存儲周期為：

4000-128=3872（個）

當用64μs進行集中刷新是，此時不能進行任何的讀/寫操作，故將這64μs稱為“死區”或“死時間”

“死時間”所占的比率也稱為“死時間率”則集中刷新的“死時間率為”

128÷4000×100%=3.2%

優點：速度高缺點：存在死區，死時間長

分散刷新

分散刷新：是指對每行存儲單元的刷新分散到每個存儲周期內完成（對某一行某芯片進行讀寫操作后，緊接著刷新）

例：對128×128的矩陣的存儲芯片進行刷新，存儲周期為0.5μs，

將刷新分散到存儲周期內完成 ，則存儲周期就包含了刷新時間此時，存儲周期為

t=0.5μs+0.5μs=1μs

刷新（刷新以行算）一行的時間為1μs，全部刷新完的時間為：

128×1μs=128μs

此時比2ms小的多

優點：無死區缺點：存取周期長，整個系統的速度降低了

異步刷新

異步刷新：前兩種方式的結合，縮短了死時間，充分利用了最大刷新間隔為2ms的特點（只要在2ms內對這一行刷新一遍就行）

例：對128×128的矩陣的存儲芯片進行刷新，存儲周期為0.5μs，刷新周期為2ms

2ms內對每行刷新一遍：

2000μs÷128≈15.6μs

即每隔15.6μs刷新一行，每行的刷新時間仍然為0.5μs。刷新一行就停一個存儲周期，“死時間縮短為0.5μs”

這種方案克服了分散刷新許獨占0.5μs用于刷新，使存取周期加長且降低系統速度的缺點，又不會出現集中刷新的訪問“死區”。